تم تطبيق بلورات الليزر فائقة السرعة Microchip بنجاح في المنطقة الكهروضوئية

تقدم Coupletech Microchip Laser Crystal لأقراص الليزر. تؤدي تأثيرات العدسات الحرارية الناتجة عن أشعة الليزر التقليدية التي يتم ضخها بأشباه الموصلات إلى تدهور جودة شعاع الليزر والحد من إنتاج الطاقة. عادة ما يكون سمك وسط الليزر ذو الرقاقة الدقيقة أقل من 1 مم. في ظل ظروف الضخ والتبريد المنتظمين ، يكون تدفق الحرارة المتوسطة تقريبًا أحادي البعد للتوصيل عموديًا على سطح الرقاقة ، مما يقلل من تأثير التشويه الحراري الناجم عن تأثير العدسة الحرارية. يمكن أن ينتج ليزر الرقائق الدقيقة جودة شعاع عالية (الوضع TEM00 Gaussian) وأحادية اللون (الوضع الطولي الفردي ، عرض الخط أقل من 5 كيلو هرتز) ليزر ، وهو أمر مهم للغاية في مجالات الاتصالات والقياس والعلاج الطبي والمعالجة الصناعية والبحث العلمي والعسكري التطبيقات. تطبيق.

توفر Coupletech جميع أنواع بلورات الليزر بما في ذلك Nd: YVO4 و Nd: YAG و Diffusion Bonded Composite Crystal و Nd: YLF و Yb: YAG و Cr: YAG وكريستال القرص الصغير. على سبيل المثال يتم استخدام الكريستال النحيف للغاية Nd: YAG + Cr: YAG للليزر فائق السرعة للقرص ، وهو مصمم لحجم صغير جدًا لليزر fs و ps. الآن ظهرت المزيد والمزيد من الأنواع الجديدة من بلورات الليزر ، أصبح الكريستال الليزري المخدر من Yb عضوًا جديدًا ، أي أن الأبحاث تظهر أن مفهومًا جديدًا لـ "نظام Yb3 + أيون شبه رباعي المستويات مقترن بالمجال القوي" باستخدام يزيد اقتران المجال القوي من مستوى الطاقة لتقسيم الأيونات Yb3 + ، ويقلل من نسبة السكان الساخنة تحت الليزر ، ويحقق عملية ليزر Yb3 + شبه أيونية بأربعة مستويات. حدد Yb مع أعلى موصلية حرارية (7.5Wm-1K-1) ومعامل درجة حرارة معامل الانكسار السلبي الوحيد (dn / dT = -6.3 Ì 10-6K-1) في بلورات السيليكات الموجبة والسالبة: نوع جديد من الكريستال Sc2SiO5 (Yb: SSO) يزرع بطريقة Czochralski. تم تنفيذ إخراج الليزر البلوري وإخراج الليزر فائق السرعة ، Yb: تم استخدام رقائق SSO الدقيقة بسماكة 150 ميكرومتر لتحقيق 75 واط (M2 <1.1) و 280 واط بجودة شعاع عالية ، وإخراج ليزر مستمر عالي الطاقة 298fs. في الآونة الأخيرة ، تم تنفيذ خرج ليزر فائق السرعة 73 fs مغلق الوضع في هذه البلورة.